申报条件

  1. 6-8 英寸 4H-SiC 衬底产业化关键技术研究

  2. 高良率 SiC 外延稳定制造技术以及其在大功率器件 的研发和应用

  3. Si 衬底上 GaN 基功率器件的关键技术研究及应用

  4. 新型高频低损耗体声波滤波器关键材料与器件研发及应用

  5. 专题五:硅基 AlGaN 垂直结构近紫外大功率 LED 外延与芯片 研究及应用

  专题六:功率半导体器件封装材料和模组应用研究及产业化

  补助详情

  1. 5000 万元,拟支持 2个项

  2. 5000 万元,拟支持 2 个项

  3. 3000 万元,拟支持 4 个项

  4. 3000 万元,拟支持 2 个项

  5. 3000 万元,拟支持 2 个项

  3000 万元,拟支持 2 个项